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產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
簡要介紹omron距離型接近傳感器
對模擬數(shù)字混合IC“PROX2”執(zhí)行“出廠時寫入溫度補償值”,將溫度變化對檢測距離的影響控制在較小,這是以往的模擬IC 無法實現(xiàn)的。
E2E NEXT的檢測距離約為以往產(chǎn)品的2倍。例如,M12的檢測距離為7mm,與以往的M18一樣。
詳情介紹:
簡要介紹omron距離型接近傳感器
鐵和鋁共有有M12和M18尺寸、加上NO和NC各輸出類型的合計4個機型庫存的用戶,在使用E2EW時可將該4個機型合并為M12尺寸NO+NC 2輸出型的1個機型。
無需繁雜的庫存管理,還可大幅減少庫存貨架的空間。
E2E NEXT系列憑借長距離穩(wěn)定檢測技術“熱敏遠距離控制”和模擬數(shù)字混合IC,解決了增大接近傳感器檢測距離時的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個體差異。
應差 檢測距離的10%以下
可檢測物體 磁性金屬(非磁性金屬的檢測距離較短。請參見catalog上的“特性數(shù)據(jù)”)
標準檢測物體 鐵12×12×1mm 鐵15×15×1mm
響應頻率 1kHz以上
通過外部磁場影響,檢測在導體表面產(chǎn)生的渦電流引起的磁性損耗。在檢測線圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場,并檢測體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進行檢測的方式。
此外,作為另外一種方式,還包括檢測頻率相位成分的鋁檢測傳感器,和通過工作線圈僅檢測阻抗變化成分的全金屬傳感器。
在檢測體一側(cè)和傳感器一側(cè)的表面上,發(fā)生變壓器的狀態(tài)。
電源電壓(使用電壓范圍) DC12~24V 紋波(p-p) 10%以下(DC10~30V)
漏電流 0.8mA以下
控制輸出 開關電容 量3~50mA以下
殘留電壓 3V以下(負載電流50mA、導線長1m時)
設定距離 0~1.2mm 0~1.9mm
*6. PRD(Pulse Response Detection)是指,**圈中有脈沖狀的電流流過時,對檢測物體上產(chǎn)生的電流變化進行檢測的技術。
憑借飛濺物難以附著的氟樹脂涂層技術,即使將產(chǎn)品安裝在飛濺物飛散的場所,維護頻率也可以保持在較低情況。
以轉(zhuǎn)速130rpm用不銹鋼刷進行耐磨損性測試的結(jié)果,樹脂檢測頭在50分鐘時發(fā)生絕緣破壞,而金屬檢測頭即使400分鐘后也未發(fā)生絕緣破壞。
鐵和鋁共有有M12和M18尺寸、加上NO和NC各輸出類型的合計4個機型庫存的用戶,在使用E2EW時可將該4個機型合并為M12尺寸NO+NC 2輸出型的1個機型。
無需繁雜的庫存管理,還可大幅減少庫存貨架的空間。
E2E NEXT系列憑借長距離穩(wěn)定檢測技術“熱敏遠距離控制”和模擬數(shù)字混合IC,解決了增大接近傳感器檢測距離時的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個體差異。
應差 檢測距離的10%以下
可檢測物體 磁性金屬(非磁性金屬的檢測距離較短。請參見catalog上的“特性數(shù)據(jù)”)
標準檢測物體 鐵12×12×1mm 鐵15×15×1mm
響應頻率 1kHz以上
通過外部磁場影響,檢測在導體表面產(chǎn)生的渦電流引起的磁性損耗。在檢測線圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場,并檢測體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進行檢測的方式。
此外,作為另外一種方式,還包括檢測頻率相位成分的鋁檢測傳感器,和通過工作線圈僅檢測阻抗變化成分的全金屬傳感器。
在檢測體一側(cè)和傳感器一側(cè)的表面上,發(fā)生變壓器的狀態(tài)。
電源電壓(使用電壓范圍) DC12~24V 紋波(p-p) 10%以下(DC10~30V)
漏電流 0.8mA以下
控制輸出 開關電容 量3~50mA以下
殘留電壓 3V以下(負載電流50mA、導線長1m時)
設定距離 0~1.2mm 0~1.9mm
*6. PRD(Pulse Response Detection)是指,**圈中有脈沖狀的電流流過時,對檢測物體上產(chǎn)生的電流變化進行檢測的技術。
憑借飛濺物難以附著的氟樹脂涂層技術,即使將產(chǎn)品安裝在飛濺物飛散的場所,維護頻率也可以保持在較低情況。
以轉(zhuǎn)速130rpm用不銹鋼刷進行耐磨損性測試的結(jié)果,樹脂檢測頭在50分鐘時發(fā)生絕緣破壞,而金屬檢測頭即使400分鐘后也未發(fā)生絕緣破壞。
可實時了解接近傳感器檢測到多少檢測物體,從而掌握無法通過目視了解的設備日常的條件變化。
簡要介紹omron距離型接近傳感器